O Instituto de Física de São Carlos (IFSC/USP) está com processo seletivo aberto para uma Bolsa de Pós-Doutorado para atuar na área de desenvolvimento de semicondutores aplicados à geração de H2 verde via fotoeletrocatálise. A bolsa de pós-doutorado será paga pela Fundação de Apoio à Universidade de São Paulo (FUSP). O bolsista será supervisionado pelo pesquisador vinculado ao CEMol Renato Vitalino Gonçalves, em projeto em colaboração com o pesquisador Flavio Leandro de Souza.
O projeto denomina-se “Engenharia de Superfície de Fotoanodos Avançados para Produção Fotoeletroquímica de Hidrogênio”, inserido na área de Física da Matéria Condensada / Energia Renovável / Semicondutores.
A pesquisa será desenvolvida no Laboratório de Nanomateriais e Cerâmicas Avançadas (NaCA), no Instituto de Física de São Carlos (IFSC/USP), com foco no desenvolvimento de fotoanodos semicondutores à base de BiVO4 para aplicação em sistemas de divisão fotoeletroquímica da água, visando à produção sustentável de hidrogênio verde.
O projeto contempla a síntese e deposição de filmes finos por pulverização catódica (magnetron sputtering), combinada com outras rotas químicas complementares, bem como estratégias avançadas de engenharia de superfície, incluindo dopagem controlada, engenharia de contornos de grão e a formação de heterojunções semicondutoras.
Essas abordagens visam otimizar o transporte de carga, suprimir processos de recombinação eletrônica e ampliar a eficiência e a estabilidade fotoeletroquímica dos materiais desenvolvidos.
O bolsista selecionado será responsável pela caracterização estrutural, morfológica, óptica e eletrônica dos fotoanodos por meio de técnicas avançadas, tais como difração de raios X (XRD), espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS), espectroscopia Raman, espectroscopia UV-Vis, microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
Além disso, o desempenho fotoeletroquímico será avaliado em células eletroquímicas de três eletrodos, incluindo estudos sistemáticos de estabilidade química e operacional em longo prazo.
Requisitos para candidatura:
- Doutorado em Física, Química, Engenharia de Materiais ou áreas correlatas;
- Experiência comprovada em caracterização de materiais semicondutores por (XPS, Raman, XRD, UV-Vis);
- Experiência comprovada em análise de medidas elétricas/eletroquímicas, incluindo LSV, EIS e IPCE;
- Proficiência em inglês;
- Habilidade para trabalhar em equipe e correlacionar dados multidisciplinares.
Os candidatos interessados deverão encaminhar e-mail para rgoncalves@ifsc.usp.br até 20 de março do corrente ano, com o assunto “Bolsa FUSPPD H2 – [Nome]”, contendo:
- Carta de motivação evidenciando a experiência prévia na área do projeto (máximo de 2 páginas);
- Currículo (CV), com links para o Currículo Lattes e demais perfis acadêmicos.
O valor da bolsa paga pela FUSP é de R$ 12.000,00 mensais, com duração de 24 meses, podendo ser renovada por até 12 meses, mediante avaliação do relatório científico e disponibilidade orçamentária.
Não há reserva técnica associada à bolsa.
Os candidatos pré-selecionados, com experiência comprovada para a posição, serão convidados para uma entrevista on-line nos meses de março e abril de 2026.
Atenção – Candidaturas devem ser realizadas exclusivamente por e-mail.
